TPA65R380C_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。器件采用碳化硅工藝，在高頻開關應用中展現出較低的導通與開關損耗，同時具有良好的熱穩定性和抗干擾能力，適用于高效率電源、光伏逆變系統、不間斷電源以及通信設備中的功率轉換模塊。
