TSM080NB03CR_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為4.7毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求較高的開關電源、電池管理系統及便攜式高功率設備中的功率轉換與控制電路，能夠穩定支持大電流持續運行。
