IRFB4410PBF-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的柵源電壓（VGS）額定值。低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，同時支持高電流通過能力。器件適用于高效率開關電源、電機驅動、直流-直流轉換器等應用，在高頻開關操作中可維持良好的性能與熱穩定性。
