RJK03M6DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為35A，最大漏源電壓為30V，導通電阻典型值為7.5毫歐。其低導通電阻有助于降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。器件適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉換、負載開關及同步整流等應用場合。由于具備良好的開關特性和穩定的電氣參數，可在多種電子系統中實現可靠的功率控制與管理。
