SCTH35N65G2V-7_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至36mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高頻特性和熱穩定性，適用于高效率、高功率密度的電源轉換場景。其低導通損耗和快速開關特性有助于提升系統整體能效，適合用于對性能和可靠性要求較高的電力電子應用中。
