IPW65R029CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻典型值為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高性能計算設備中的電力管理模塊。
