STW68N65DM6-4AG-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為55A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻典型值為45mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關條件下展現出優異的導通與開關性能，同時具備較低的功率損耗和良好的熱穩定性。適用于對效率、響應速度及緊湊布局有明確要求的電源轉換與電力電子系統。
