RJK0397DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其較低的導通電阻有助于減小功率損耗，提升系統整體效率，同時支持較高的開關頻率。適用于電源管理、電池保護、電機控制及各類高效率功率轉換電路中，能夠滿足對熱性能和電氣穩定性要求較高的應用場景。
