STD11NM65N-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:9.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、9.3A的連續漏極電流（ID）和410mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備高耐壓能力與較低導通損耗，在高頻開關條件下仍能保持良好性能，適用于對效率、熱管理和空間布局有較高要求的電源轉換及能量處理系統。
