NCE65TF360F_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源電壓耐壓達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、光伏逆變、儲能系統及通信設備中的功率管理模塊，在緊湊型電源設計中可有效提升整體能效與功率密度。
