NTTFS4945NTAG-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能有一定要求的場合。典型應用包括高效DC-DC轉換器、電池管理系統、便攜式電子設備電源路徑控制以及需要高頻開關操作的各類電子電路。
