AOD4132L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及低至3毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其高電流承載能力和極低導通損耗使其適用于高效率電源轉換、大電流開關電路及同步整流等應用場景。在高頻工作條件下，該器件能有效降低功率損耗并提升系統熱性能，適合對電氣性能和空間布局有較高要求的電子設備。
