AOD5N50M_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于中高電壓開關場景，其N溝道結構支持在柵極施加正向電壓時形成導電溝道，實現高效通斷控制。典型應用包括電源轉換、電機驅動及各類電子負載開關電路，能夠在確保穩定工作的同時滿足對電壓耐受與電流承載能力的基本需求。
