NTMFS4925NET1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.3毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導通電阻有效降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。器件適用于高頻開關電源、負載開關及電池供電系統等對效率和功率密度有較高要求的應用場景。
