STWA65N023M9-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流（ID）與650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，在高頻開關條件下展現出優異的導通與開關性能，有效降低功率損耗。適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高密度電力電子設備等場景，能夠在較高結溫下穩定工作，提升整體系統可靠性與能效表現。
