NTHL033N65S3HF-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源驅動電壓范圍（VGS）為-10V至@5V。其結構利用碳化硅材料特性，支持高頻開關操作并降低導通與開關損耗，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對熱性能和能效要求較高的電力電子應用。
