TK49N65W,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為55A，漏源電壓耐受值達650V，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換設備及高性能計算電源模塊等場景，有助于實現緊湊布局與高效熱管理。
