IPW60R045CPFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、70A的連續漏極電流（ID）以及44mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的優勢，在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于高功率密度電源、可再生能源轉換系統及高效電能管理設備，能夠在較高結溫下穩定運行，提升整體系統效率。
