IMBG65R026M2HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、73A的連續漏極電流（ID）和26mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。其低導通電阻與高耐壓特性結合碳化硅材料的高頻優勢，可在高效率電源轉換、數據中心供電系統、光伏逆變器及高密度電力電子設備中實現優異的開關性能與熱管理表現。
