STW77N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，額定漏極電流ID為70A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)典型值為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗及優異的高頻開關特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換系統。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，同時低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效表現。
