C3M0045065L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的漏極電流額定值和650V的漏源耐壓，導通電阻為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V下可正常工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關過程中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高密度電力電子裝置中，能夠有效支持緊湊型電路設計與高效能量管理。
