NVD4C05NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為3毫歐。低導通電阻有助于在大電流應用中有效抑制功率損耗，提升系統效率并減少發熱。適用于高效率電源模塊、電池供電設備、電機驅動電路以及需要高開關頻率和高電流承載能力的電子系統，能夠在持續高負載條件下保持穩定工作性能。
