SIR516DP-T1-BE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備75A的漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）典型值為6.4毫歐。低導通電阻有助于在大電流工作時顯著降低功率損耗，提升系統整體效率。器件適用于高效率電源管理、電機控制、不間斷電源及各類需要高電流承載能力與快速開關響應的電子設備中，能夠在持續高負載條件下保持穩定運行。
