DKI03038-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗相結合，適用于對效率和熱性能要求較高的功率轉換場合。器件結構優化了開關特性，在高頻工作條件下仍能保持穩定性能，適合用于電源管理、電機驅動及各類高效能電子系統中的功率開關應用。
