FDMS8660AS_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備150A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。憑借極低的導通電阻與高電流承載能力，器件在大功率開關應用中可顯著降低導通損耗，提升系統效率。適用于高密度電源轉換、高效電機控制及各類對熱性能和能效要求嚴苛的電子設備中。
