NVMFS4C03NWFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持150A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。憑借極低的導通電阻，器件在高電流工作時能有效抑制功耗與溫升，適用于大功率電源轉換、高效電機驅動及同步整流等對能效和熱性能要求嚴苛的場合。其結構設計有利于實現快速開關響應，有助于提升整體電路效率與動態性能。
