STF12N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:7.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為7.1A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為410mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與優異的高頻開關特性，適用于高效率電源轉換、光伏逆變、不間斷電源及類似對能效和熱性能有較高要求的電力電子系統。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，有助于簡化控制電路設計。
