STF24NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為800V，連續漏極電流（ID）為11A，導通電阻（RDS(on)）為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類中高功率電子設備中的功率開關環節。
