SIR182LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有125A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.4毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗使其適用于對效率和熱性能要求較高的功率轉換場景。器件結構支持快速開關操作，在高頻率工作條件下仍能保持穩定性能，適合用于電源管理、電機驅動及各類高效能電子系統中的功率控制環節。
