IMZA65R020M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的連續漏極電流，漏源擊穿電壓達750V，導通電阻為20mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強和低導通損耗特性，在高頻開關應用中表現出優異的效率與熱穩定性。適用于高功率密度電源、可再生能源轉換系統及各類高效電力電子裝置，能夠有效降低系統能耗并提升整體性能表現。
