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GSFU80R280_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的漏極電流能力,漏源擊穿電壓為650V,導通電阻為260mΩ,柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料特性,器件在高電壓應用中表現出較低的導通與開關損耗,適合用于對能效和熱管理有較高要求的電源轉換系統。其寬VGS范圍增強了驅動靈活性,適用于多種拓撲結構中的高頻開關場景,有助于提升整體系統效率與可靠性。

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