R6524ENZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場與低導通損耗特性，在高頻開關條件下仍能維持高效運行，適用于對體積、效率及熱管理有較高要求的電源轉換場合，例如通信電源、光伏逆變系統以及高密度開關電源等應用環境。
