IPP65R115CFD7AAKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備30A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻典型值為94mΩ，在柵源驅動電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其高耐壓與低導通電阻的結合，有助于簡化散熱設計并提升系統整體性能。
