MSJP20N65A-BP-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），在導通狀態下典型電阻為165mΩ，有助于降低導通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩定的柵極驅動控制，確保開關可靠性。依托碳化硅材料的高熱導率與高耐壓特性，該器件適用于高頻、高溫及高功率密度的應用場景，如高效電源轉換系統、可再生能源發電設備中的逆變單元、高壓直流變換模塊以及對效率和體積有較高要求的電力電子裝置。
