NTBG015N065SC1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:210A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備210A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓達750V，導通電阻僅為11mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的高熱導率與寬禁帶特性，器件在高功率密度和高頻開關條件下仍能保持低損耗與優異的熱穩定性，適用于對效率、體積和動態響應要求嚴苛的電源轉換系統。
