HXYS18N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:17.9A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20V的柵源電壓范圍（VGS），可持續承載17.9A的漏極電流（ID）。其導通電阻低至160mΩ，有效降低導通損耗，提升系統能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫穩定性和快速開關能力，適用于高頻率、高電壓的功率轉換場合。典型應用包括高壓電源模塊、可再生能源逆變裝置及高效DC-AC轉換電路，適合對功率密度和熱管理有較高要求的設計場景。
