HXY10G10S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:70mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管為N溝道與P溝道集成的功率MOSFET，N溝道部分具有100V漏源電壓（VDSS）、10A連續漏極電流（ID）及70mΩ導通電阻（RDON），柵源電壓范圍支持±20V。器件具備較高的電壓耐受能力，適用于中等功率的開關電源和直流功率控制電路。雙溝道結構可用于半橋或互補輸出拓撲，實現高效的電壓切換與功率調節。典型應用包括便攜式設備的電池管理系統、小型化電源適配器、無線充電發射模塊的驅動電路以及需要雙向控制的負載開關設計，滿足對集成度和可靠性要求較高的場景。
