HXY4866DF_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:33A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該NN溝道場效應管采用雙MOSFET設計，單管漏極連續電流ID達33A，漏源電壓VDSS為40V，柵源電壓范圍±20V，導通電阻低至14mΩ。低RDON值有效減少導通損耗，提升系統效率。雙N溝道結構適用于大電流開關應用，提供優異的開關速度與功率控制能力，適合多相電源管理、高密度DC-DC轉換及高性能負載開關等場景，滿足對小型化與高效率有要求的電路設計需求。
