IPA60R360P7S-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓為650V，連續漏極電流達15A，導通電阻為260mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩定的柵極驅動與器件控制。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優異的高溫工作能力、高頻開關性能及抗熱失效特性，適用于高功率密度電源系統。典型應用場景包括高效開關電源、不間斷電源（UPS）、可再生能源逆變裝置、高密度電源適配器以及儲能系統的功率轉換電路。
