S1M075120H1_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有優異的高頻開關性能與低導通電阻特性。其漏極電流ID可達32A，漏源電壓VDSS為1200V，導通電阻RDON低至75mΩ，適用于高效率、高頻率的電力轉換場景。碳化硅材料的使用使其具備更高的熱穩定性和更小的能量損耗，適合用于電源適配器、光伏逆變器及高密度電源系統等對性能與能效有較高要求的場合。
