GE10MPS06E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.37V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，額定正向電流（IF）為10A，反向重復耐壓（VR）達650V，適用于中高功率電源系統。其正向導通壓降（VF）典型值為1.37V，在同類器件中具有較低的導通損耗，有利于提升系統能效。得益于碳化硅材料特性，該二極管具備極快的開關速度和極短的反向恢復時間，可顯著降低開關損耗，支持高頻化設計。主要應用于高效率開關電源、通信電源模塊、服務器電源單元、高密度DC-DC轉換器及光伏逆變電路，適合對散熱性能和空間布局有較高要求的高性能電子設備。
