VBP112MC100_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和81A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）僅為21mΩ，確保在高功率密度應用中實現高效、低損耗的開關性能。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高溫和高頻特性，適用于如高效電源轉換器、可再生能源系統及智能電力調控設備等場景，支持系統實現更高效率與更優熱管理表現。
