NTH4L028N170M1_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:82A 參數2:VDSS:1700V 參數3:RDON:28mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1700V N溝道碳化硅場效應管(MOSFET),具有高電流承載能力和優異的導通性能。其額定漏極電流(ID)為82A,導通電阻(RDON)低至28mΩ,有助于顯著降低功率損耗并提升整體效率。碳化硅材料賦予器件出色的耐壓與耐高溫特性,支持在高頻、高壓及復雜工況下可靠運行。適用于高效率電源變換系統、新能源發電設備及高性能電子裝置中的功率管理與能量傳輸應用。
