S1M040120H_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品是一款1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備良好的導通特性和高頻開關能力。在常溫下，導通電阻（RDON）為40mΩ，可承載最大連續漏極電流（ID）為60A，適用于多種高效能電力轉換系統。碳化硅材料賦予器件優異的熱導率和耐高溫能力，降低了開關損耗，提高了系統效率。該器件可應用于新能源發電、儲能系統、高精度電源管理及高頻功率變換設備中，滿足對性能與可靠性有高要求的使用場景。
