STF80N240K6-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:200mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和13.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為200mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持可靠的柵極驅動控制。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關特性和高溫工作能力。適用于高效率的功率轉換電路，如大功率開關電源、光伏逆變裝置、儲能系統中的能量變換模塊以及高功率密度的交直流轉換設備，適合在高電壓、高頻率工作環境下實現低損耗運行。
