S1M040120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備高電流承載能力和優異的導通性能。其最大漏極電流ID可達63A，漏源擊穿電壓VDSS為1200V，導通電阻RDON低至32mΩ，能夠有效降低功率損耗并提升系統效率。碳化硅半導體材料賦予器件良好的熱穩定性和高頻工作能力，適用于高性能電源轉換設備，如高效能電源供應器、儲能系統以及對能效與可靠性有較高要求的高密度電子系統。
