BCB65S06D3_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降低至1.36V。器件利用碳化硅材料特性，具有優異的開關性能和高溫工作能力，反向恢復時間短，可有效降低系統損耗。適用于高效率電源轉換場合，如開關模式電源、功率因數校正電路及直流-直流轉換器中，有助于提升系統整體能效和功率密度，是高頻、高功率應用中的理想選擇。
