IMZA65R039M1HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備52A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，確保在中高壓環境下穩定運行。導通電阻低至40mΩ，有效減少導通損耗，提升系統能效。碳化硅材料賦予器件優異的熱導性能和高頻工作特性，適用于高效率電源轉換、精密電機控制及高性能電力電子系統，滿足復雜電路設計對高可靠性和高響應速度的要求。
