HXY28N50TP_TO-3P_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:28A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:150mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有500V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于高電壓開關場景。其導通電阻（RDON）為150mΩ，在28A的連續漏極電流（ID）下可保持較低的導通損耗，有利于提升能效。器件結合高電壓耐受性與較強的電流處理能力，常用于電源轉換拓撲，如DC-DC變換器、開關電源中的功率開關以及電機驅動電路中的控制單元，適合對開關速度和熱穩定性有一定要求的高性能電路設計。
