FCPF190N65S3L1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，具備良好的開關特性與熱穩定性。得益于碳化硅材料的優異性能，該器件可在高頻、高溫及高電壓環境下可靠運行，廣泛應用于電源轉換、可再生能源系統、儲能裝置及電力傳輸設備中的DC-DC變換器、逆變器與功率因數校正電路，有助于提升系統整體能效與功率密度。
